国家知识产权局信息显示，北京电控集成电路制造有限责任公司申请一项名为“紫外探测器及其制备方法”的专利，公开号CN122825533A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提供一种紫外探测器及其制备方法，涉及光电探测器技术领域，该紫外探测器包括第一半导体层、第二半导体层，量子隧穿层、第一电极层和第二电极层。其中，第一半导体层的材料包括氧化镍；第二半导体层的材料包括氧化镓；第二半导体层的靠近量子隧穿层的一侧具有内建电场，内建电场的方向由第二半导体层指向量子隧穿层。本方案通过在第一半导体层与第二半导体层之间引入量子隧穿层，且在第二半导体层的靠近量子隧穿层的一侧设置内建电场，该内建电场的方向由第二半导体层指向量子隧穿层，能够增加光生载流子的分离与收集效率，降低暗电流，并提升器件响应度和光暗电流比。

天眼查资料显示，北京电控集成电路制造有限责任公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2000000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京电控集成电路制造有限责任公司参与招投标项目57次，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员