国家知识产权局信息显示，安徽晶微科技有限公司申请一项名为“一种改善铝刻蚀侧壁粗糙度的刻蚀方法”的专利，公开号CN122825722A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善铝刻蚀侧壁粗糙度的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次沉积氧化硅层和铝层，经光刻图形化后，采用氯气、三氯化硼和氩气进行等离子体干法刻蚀，其中射频偏置功率为140~180W，刻蚀后进行去胶处理。该方法通过优化偏置功率以精确控制离子能量，优化刻蚀各向异性与副产物行为，避免因能量不足或过高导致的侧壁粗糙或负倾角缺陷；同时工艺气体协同作用可有效清除微掩膜及残留杂质，抑制微掩蔽效应，形成致密平整的侧壁钝化层。该方法能显著降低铝刻蚀侧壁粗糙度，获得光滑垂直的刻蚀形貌，在保证较高刻蚀速率和良好掩模选择比的同时，具有工艺容差大、重复性好、易集成等优点，适用于亚微米及更先进节点的铝互连线制造。

天眼查资料显示，安徽晶微科技有限公司，成立于2025年，位于滁州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽晶微科技有限公司参与招投标项目2次，专利信息67条，此外企业还拥有行政许可2个。

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作者：情报员