国家知识产权局信息显示，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司申请一项名为“键合界面缺陷的消除方法、模块及半导体器件的加工设备”的专利，公开号CN122825720A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供了一种键合界面缺陷的消除方法、一种键合界面缺陷的消除模块及一种半导体器件的加工设备。所述一种键合界面缺陷的消除方法包括以下步骤：定位晶粒‑晶圆键合件的键合界面上的气泡缺陷；从所述晶粒一侧向所述气泡缺陷施加第一脉冲束流，在所述气泡缺陷的对应晶粒上形成盲孔，以使所述对应晶粒在所述盲孔底部的对应位置具有第一厚度；以及向所述盲孔底部施加第二脉冲束流，以在所述对应晶粒上形成连通所述气泡缺陷的排气微通孔，其中，所述第一脉冲束流的第一单脉冲能量，大于所述第二脉冲束流的第二单脉冲能量。

天眼查资料显示，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司，成立于2020年，位于嘉兴市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1511.4245万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆键科（海宁）半导体设备有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息127条，此外企业还拥有行政许可10个。

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作者：情报员