国家知识产权局信息显示，中环领先半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种硅片纳米形貌优化方法、装置及双面减薄设备”的专利，公开号CN122807707A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅片纳米形貌优化方法、装置及双面减薄设备，属于半导体技术领域。方法包括：根据每个气压计采集的气压值，确定间隙差值，间隙差值用于表征硅片与两侧承载垫之间的间隙值的差值；在间隙差值大于预设补偿触发阈值的情况下，根据间隙差值确定磨削砂轮的位置补偿量，位置补偿量用于调整磨削砂轮的进给位置。本申请通过监测由气压值确定的间隙差值并据此补偿磨削砂轮位置，从而在减薄工序主动优化抛光后硅片纳米形貌，提升工艺一致性。

天眼查资料显示，中环领先半导体科技股份有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本539356.0021万人民币。通过天眼查大数据分析，中环领先半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目347次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息1237条，此外企业还拥有行政许可367个。

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作者：情报员