国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN122825435A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：第1电容器，包含第1电极、第2电极、及第1电极与第2电极之间的第1电容器绝缘膜；及第1晶体管，包含第3电极、第4电极、第3电极与第4电极之间的第1氧化物半导体层、及第1栅极电极；且第1电极包含第1部分、第2部分、及第3部分，第1部分的第1化学组成与第3部分的第3化学组成不同，第2部分的第2化学组成与第3部分的第3化学组成不同，在第1方向上，第1部分设置在第3部分与第3电极之间，第2电极包含第4部分，与第1方向垂直，包含第1电极及第2电极的第1剖面中，第2部分包围第4部分，第4部分包围第1部分。

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作者：情报员