国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司申请一项名为“半导体芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122825467A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体芯片及其制备方法，属于半导体制备技术领域。该半导体芯片，包括：衬底、复合截止层、沟道层和势垒层；复合截止层、沟道层和势垒层依次叠设在衬底的一侧；复合截止层包括依次叠设的耐压阻挡层、极化补偿层和隔离缓冲层，其中，耐压阻挡层用于提升半导体芯片的垂直击穿电压，并阻挡衬底的杂质向沟道层扩散，极化补偿层用于通过极化电荷补偿耐压阻挡层中电离受主的负电荷，以削弱耐压阻挡层的电荷捕获能力，隔离缓冲层用于缓解晶格失配，并隔离沟道层中的二维电子气和耐压阻挡层及极化补偿层中的电荷中心。本公开能够有效避免动态导通电阻退化。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（浙江）有限公司，成立于2014年，位于金华市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本380450万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（浙江）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目55次，专利信息1111条，此外企业还拥有行政许可45个。

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作者：情报员