国家知识产权局信息显示，济南晶正电子科技有限公司申请一项名为“一种半导体衬底结构、弯曲调控方法以及半导体器件”的专利，公开号CN122825799A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体衬底结构、弯曲调控方法以及半导体器件，半导体衬底结构包括硅衬底，硅衬底具有相对设置的正面和背面；第一多晶硅层位于硅衬底的正面；第二多晶硅层位于硅衬底的背面；二氧化硅层位于第一多晶硅层上。半导体衬底结构经第一次退火处理，使二氧化硅层形成为致密化二氧化硅层，致密化二氧化硅层在硅衬底的正面形成高压应力状态，使半导体衬底结构呈第一负弯曲形态。半导体衬底结构经第二次退火处理，在第一负弯曲形态的基础上，根据第二次退火的气氛选择性地呈第二负弯曲形态或正弯曲形态。本申请通过两步退火及气氛选择，实现了对半导体衬底结构弯曲形态的主动调控，解决了晶圆弯曲不可控的问题。

天眼查资料显示，济南晶正电子科技有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3229.1409万人民币。通过天眼查大数据分析，济南晶正电子科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目108次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可26个。

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作者：情报员