国家知识产权局信息显示，深圳市爱协生科技股份有限公司申请一项名为“高电容密度低寄生的电容结构以及芯片”的专利，公开号CN122825494A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供一种高电容密度低寄生的电容结构，包括：依次堆叠设置于衬底上且相互并联的至少两个飞跨电容，各所述飞跨电容的种类各不相同，各所述飞跨电容之间通过层间介质层隔离，且各所述飞跨电容在所述衬底上的投影重合；各所述飞跨电容的上极板共同连接电容正端，各所述飞跨电容的下极板共同连接电容负端。多个不同类型的飞跨电容堆叠并联，能够有效提高电容密度，并且多个不同类型的飞跨电容在垂直于衬底的方向上堆叠，能够有效减小电荷泵的飞跨电容所占用的芯片面积由于飞跨电容的极板寄生电容容值占飞跨电容的容值比例降低，从根本上省电荷泵本身的电流消耗，提高电荷泵的效率，提高了无外挂电容的电荷泵电路的性能。

天眼查资料显示，深圳市爱协生科技股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5220.3233万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市爱协生科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息347条，此外企业还拥有行政许可16个。

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作者：情报员