国家知识产权局信息显示，武汉新创元半导体有限公司申请一项名为“一种玻璃基深通孔电容器、封装载板及制作方法”的专利，公开号CN122825456A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种玻璃基深通孔电容器及制作方法，电容区域形成在玻璃上表面、玻璃下表面和玻璃通孔的侧壁，每个电容包括交替形成的导电层和介电层，且具有独立的电极层和接地层；电容区域制成后依次形成共地层、绝缘层和金属层，玻璃通孔内填满金属。本发明充分利用多个玻璃通孔内壁的面积形成电容，通过增大电极板面积的方式增大电容量，每个电容有接地和正极，并具有共地层用于整体接地，无硅衬底的漏电流，且没有硅的电容损耗及涡流现象；由于电容整体厚度小，对玻璃通孔的孔径影响极小。

天眼查资料显示，武汉新创元半导体有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31451.7339万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新创元半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息65条，此外企业还拥有行政许可148个。

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作者：情报员