国家知识产权局信息显示，浙江金瑞泓科技股份有限公司申请一项名为“一种用于快恢复二极管硅衬底及其外延片”的专利，公开号CN122811915A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于扩铂工艺的快恢复二极管硅衬底及其外延片。针对扩铂工艺的FRD器件反向漏电流失效率增高、正向压降一致性差的问题，本发明基于对扩铂工艺中氧含量通过影响空位浓度调控铂扩散行为的机制发现，将硅衬底中的中心氧含量控制在14‑18ppma的特定窗口内，并控制硅衬底径向氧含量变化≤20%，以提高正向压降片内一致性。当本发明将硅衬底中心氧含量控制在14‑18ppma、氧含量径向变化≤20%时，该衬底制得的扩铂工艺FRD器件同时实现低<2%的IR失效率、VF片间偏差≤0.4V、VF片内一致性在0.2V以内。本发明实现了扩铂工艺FRD器件兼顾低反向漏电流失效率和高正向压降一致性。

天眼查资料显示，浙江金瑞泓科技股份有限公司，成立于2000年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本24236万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江金瑞泓科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可9个。

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作者：情报员