国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN122825436A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，提供一种具有优异特性的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：氧化物半导体层；第一布线；栅极绝缘层，其设置在第一布线与氧化物半导体层之间，至少包含氧和氮中的1种元素，还包含第二元素；绝缘层，其设置在第一布线与栅极绝缘层之间，包含氧、氯及氟中的至少1种元素和第三元素；以及障壁导电层，其设置在第一布线与绝缘层之间。栅极绝缘层所包含的氧及氮中原子浓度较高的一方的第一电负性与第二元素的第二电负性之差的绝对值为第一值。绝缘层所包含的氧、氯及氟中原子浓度最高的元素的第三电负性与绝缘层所包含的第三元素的第四电负性之差的绝对值为第二值。第二值大于第一值。

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作者：情报员