国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122825438A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体衬底；相邻的位线结构，去位于半导体衬底之上彼此间隔开；至少一个接触焊盘，其形成在半导体衬底中、位于相邻的位线结构之间、并具有比相邻的位线结构的底表面低的底表面；以及储存节点接触件，其设置在至少一个接触焊盘之上、与该至少一个接触焊盘接触。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员