国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（四川）有限公司申请一项名为“一种钼膜的形成方法”的专利，公开号CN122825817A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种钼膜的形成方法。包括：提供一基片，所述基片包含介质层；通入第一钼源前驱体、含氮气体和还原气体，在所述介质层的表面形成多晶钼成核层；通入第二钼源前驱体和还原气体，在所述多晶钼成核层的表面生长钼主体层；其中，所述多晶钼成核层在第一高温下进行，第一高温的温度范围为450℃‑650℃。

天眼查资料显示，中微半导体设备（四川）有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（四川）有限公司参与招投标项目25次，此外企业还拥有行政许可5个。

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作者：情报员