国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122846848A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：提供一衬底；形成沟槽于衬底中；形成第一掺杂区于沟槽所环绕的衬底的底部边缘，所述第一掺杂区的底面低于沟槽的底面，所述第一掺杂区与所述衬底的掺杂类型相反；填充沟槽隔离结构于沟槽中；形成隔离阱于所述沟槽侧壁和底壁的所述衬底中，所述隔离阱被第一掺杂区至少部分环绕，所述隔离阱与所述衬底的掺杂类型相同；形成第二掺杂区于所述隔离阱所环绕的部分所述衬底中，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接，所述第二掺杂区与所述衬底的掺杂类型相反，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区共同与所述第二掺杂区上方的所述衬底形成光电二极管。本发明的技术方案能够提高满阱容量。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1152条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员