国家知识产权局信息显示，武汉爱疆科技有限公司申请一项名为“基于TDTR的宽禁带功率半导体结温瞬态测量方法及系统”的专利，公开号CN122847149A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提出了一种基于TDTR的宽禁带功率半导体结温瞬态测量方法，包括：对封装器件进行开窗处理并沉积金属薄膜作为热反射传感层；将泵浦光与探测光共线聚焦至金属薄膜表面同一点并控制两者相对到达时间；向器件施加电脉冲，以电脉冲上升沿为触发基准实现电信号与激光信号的时间同步；通过点测量模式逐次改变探测光延迟时间采集反射信号获得温度时序曲线，和/或通过面扫描模式固定延迟时间逐点扫描获得二维温度分布场；最后经锁相放大器提取同相分量和正交分量并反演器件结温。本发明可在器件真实开关瞬态工况下进行直接结温测量，克服了现有测量方法无法同时兼顾高空间分辨率与高时间分辨率且难以对封装状态下的功率半导体器件进行原位测量等问题。

天眼查资料显示，武汉爱疆科技有限公司，成立于2015年，位于武汉市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉爱疆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可5个。

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作者：情报员