国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“碳化硅器件中的应力释放方法”的专利，公开号CN122847052A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开涉及碳化硅器件中的应力释放方法。本公开指向制造电子器件的方法和其电子器件。该方法包括以下步骤：提供碳化硅基板，该碳化硅基板特别地为4H‑SiC，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在第二表面上沉积具有第一厚度的第一金属层；借助于第一激光束加热第一金属层的选择性部分；以与第一金属层直接物理接触的方式沉积具有大于第一厚度的第二厚度的第二金属层；以及借助于第二激光束加热第二金属层的选择性部分。

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作者：情报员