国家知识产权局信息显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“制造半导体结构的方法”的专利，公开号CN122847062A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明的实施例提供了一种制造半导体结构的方法，该方法包括：在硅衬底上方进行正面工艺以形成正面工艺层；正面工艺层包括：半导体器件，半导体器件具有栅极结构以及与栅极结构直接接触并分别位于栅极结构的相对两侧的栅极侧墙；形成栅极结构时，在硅衬底背离正面工艺层的一侧形成多晶硅层，形成栅极侧墙时，在多晶硅层背离正面工艺层的一侧形成绝缘多层；在正面工艺层上方形成金属层；在金属层上方沉积钝化层；蚀刻去除绝缘多层以使多晶硅层的底面暴露；在钝化层上方形成掩模层；使用掩模层作为蚀刻掩模图案化钝化层。本发明的目的在于至少避免蚀刻钝化层时出现电弧放电现象。

天眼查资料显示，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1329244.16万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联先锋集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目75次，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员