国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“金属栅极切割工艺方法”的专利，公开号CN122846786A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种金属栅极切割工艺方法，包括：进行层间膜的回刻以在金属栅极之间的间隔区域中形成凹槽，凹槽的底部表面高于位于金属栅极侧面的有源区的最高表面。在凹槽中填充切割保护层。形成硬质掩膜层并对硬质掩膜层进行图形化刻蚀以形成第一沟槽。进行金属栅极切割刻蚀以将第一沟槽打开区域中的金属栅极全部去除，在第一沟槽所打开的间隔区域中，切割保护层使金属栅极切割刻蚀停止在切割保护层上，金属栅极切割刻蚀完成后形成第二沟槽。在第二沟槽中填充第一介质层。本发明能实现对切割区域中的金属栅极完全切割的同时，减少对切割区域中层间膜的切割，从而能防止层间膜横向和纵向切割过多时对切割区域相邻的有源区的外延结构产生损伤。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2114次，专利信息2949条，此外企业还拥有行政许可551个。

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作者：情报员