国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“CMOS器件及其形成方法”的专利，公开号CN122846805A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明提供了一种CMOS器件的形成方法，包括：提供包含依次堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅的SOI，以及依次位于顶层硅的衬垫氧化层和衬垫氮化层，顶层硅分为NMOS区和PMOS区；刻蚀衬垫氮化层、衬垫氧化层和顶层硅，以形成露出埋氧层表面的浅沟槽，浅沟槽位于NMOS区和PMOS区的交界处；通过炉管工艺在浅沟槽内的NMOS区和PMOS区的顶层硅侧壁上均形成炉管氧化层，炉管工艺的氧气渗透至NMOS区和PMOS区的顶层硅与埋氧层之间的部分交界面，以在顶层硅靠近浅沟槽的下方同时形成炉管氧化层；去除PMOS区的顶层硅下方的炉管氧化层；在浅沟槽内填充氧化物，以形成浅沟槽隔离结构。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目949次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7970条，此外企业还拥有行政许可465个。

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作者：情报员