国家知识产权局信息显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122846750A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法，通过准备待处理器件；在待处理器件上形成复合应力膜；复合应力膜包括下层应力层、中间应力可调层以及上层应力层；对复合应力膜进行退火，并通过控制退火条件调节中间应力可调层的应力状态，从而调节复合应力膜施加于待处理器件的应力；移除复合应力膜，并使应力保留于待处理器件的沟道中，得到成品的半导体器件。本发明在不更换膜层材料、不改变应力膜与器件之间接触界面的前提下，仅通过控制退火条件即可灵活调节施加于器件沟道的应力的类型与大小，工艺步骤简单、成本低，与标准CMOS工艺兼容性好。

天眼查资料显示，芯恩（青岛）集成电路有限公司，成立于2018年，位于青岛市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1006720.789212万人民币。通过天眼查大数据分析，芯恩（青岛）集成电路有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目197次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息1152条，此外企业还拥有行政许可57个。

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作者：情报员