国家知识产权局信息显示，朗姆研究公司申请一项名为“特征中的大晶粒钼生长”的专利，公开号CN122848000A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供在特征中生长钼(Mo)的方法和装置。该方法可用于以超保形、保形和/或头重型生长轮廓在特征中生长单晶粒Mo。在一些实施方案中，方法涉及在含非晶态钼材料中诱导局部结晶，蚀刻该含非晶态钼材料的至少一部分，及使这些钼微晶体生长。该方法可用于在特征中Mo的自下而上沉积。在一些实施方案中，方法可产生钼间隙填充，其中在特征内部有减少数量的微晶体晶粒，几乎是单一结晶域，或特征内部的单一晶体。该方法可用于逻辑和存储器应用。

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作者：情报员