京都大学的研究团队在6英寸碳化硅（SiC）晶圆上，成功制造出高度均匀的互补结型场效应晶体管（CJFET），打破了高温应用场景下的限制。

成果可以拆成三个层面：

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该成果由京都大学的研究团队完成，方向是互补结型场效应晶体管在SiC晶圆上的均匀制造。