英特尔本周启动了其位于加利福尼亚州圣克拉拉的Bowers园区的扩建，以图在美国生产更多的光掩膜（掩模版）。该公司计划在该厂区建造一座新的制造工厂和一座新的公用设施建筑，这将进一步巩固该厂区作为英特尔重要光掩膜生产地的地位。

今年早些时候，英特尔获批在其Bowers园区建造一座占地107,000平方英尺（9,940平方米）、配备一级洁净室的新制造工厂，本周正式动工，英特尔高管和圣克拉拉市长Lisa Gilmor出席了动工仪式。新工厂将能够刻写用于DUV和EUV层以及多种节点（从32纳米一直覆盖到1.4纳米级）的6英寸×6英寸光掩膜，不过该工厂的主要重点是生产用于最先进工艺技术的掩模版——例如英特尔的18A、18A-P、14A以及更先进的制程——这些技术依赖先进的DUV、EUV以及未来将依赖的高数值孔径EUV设备，并且需要更先进的光掩膜，比如那些图案极其密集、采用曲线几何形状进行曲线光学邻近效应校正（OPC）的光掩膜。

英特尔是全球少数仍维持世界级掩膜制造车间的领先芯片制造商之一——这很重要，因为每一款先进产品都需要数百块掩膜，而每一次掩膜修订都会直接影响生产计划。此外，当涉及EUV层的光罩时，自行生产掩膜变得尤为重要，因为EUV设备用久了往往会损坏掩膜（尽管使用了保护薄膜），因此能快速造出新掩膜就非常关键。

此外，英特尔是唯一一家在其IMS纳米制造子公司自行制造用于光掩模写入的工具的半导体生产商。历史上，掩模版是通过单一电子束工具来刻画图案的，而这种工具速度很慢。相比之下，IMS生产的多束掩模写入器（MBMWs）能够同时投射262,144个可独立编程的电子束，从而在纳米级定位精度下将吞吐量提高了几个数量级。

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“几十年来，圣克拉拉见证了英特尔一些最重要的制造创新，”英特尔代工副总裁兼掩模运营总经理Frank Abboud博士表示。“通过扩大鲍尔斯园区的掩模业务，我们正在提升一项关键能力，以支持全球先进制程技术的生产，也彰显了英特尔代工推动美国半导体制造领先地位的决心。”

英特尔位于圣克拉拉的鲍尔斯园区自1986年以来一直专门用于掩膜生产。该园区与公司位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂一起，构成了公司主要的掩膜制造基地。非关键掩膜的生产历来都是外包出去的，不过，我们不清楚该公司现在是否还在外包。