国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“晶圆减薄工艺方法”的专利，公开号CN121780766A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种晶圆减薄工艺方法，包括步骤：对第一晶圆的第一表面进行第一次修边，之后将第一晶圆的第一表面键合到第二晶圆上，第一次修边的深度为第一深度。从第一晶圆的第二表面往第一表面的方向上进行第一次减薄并在第一晶圆的剩余厚度大于第一深度，利用第一晶圆的剩余厚度大于第一深度的原理防止在第二次修边中边缘碎裂缺陷。从第一晶圆的第二表面往第一表面的方向上进行第二次减薄直至第一晶圆的剩余厚度达到目标厚度。本发明能降低减薄后在修边过程中边缘碎裂缺陷。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2953次，专利信息2208条，此外企业还拥有行政许可119个。

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作者：情报员