国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器装置的制造方法”的专利，公开号CN122846717A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请涉及存储器装置的制造方法。根据本公开的实施方式的存储器装置的制造方法可以包括以下步骤：制备第一晶圆，第一晶圆包括第一基板、下单元插塞和连接到下单元插塞的下位线；制备第二晶圆，第二晶圆包括第二基板、上单元插塞和连接到上单元插塞的上位线；将连接到下位线的第一接合焊盘接合到连接到上位线的第二接合焊盘上；去除第一基板并且在暴露的下单元插塞上形成下源极板；以及在下源极板上形成多个下防翘曲图案。

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作者：情报员