新闻1️⃣：三星定制HBM或采取双轨并行策略,客户可选自家代工厂或台积电制造的基础裸片
过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4开始逐渐转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。特别是定制HBM的到来，将集成内存控制器等功能模块。目前三星的HBM4选择了自家代工厂生产基础裸片，而SK海力士和美光则选择与台积电（TSMC）合作。
据DigiTimes报道，外界认为，将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，而拥有代工厂的三星比起要寻求台积电帮助的SK海力士和美光，会从内部生产中获得潜在的成本优势，而且产能分配上也更为灵活。这一点从通用HBM4上就已显现，在量产中占据了先机，预计到定制HBM可能会更加明显。
最新消息称，三星打算在定制HBM的基础裸片上采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。如果客户选择台积电，相关设计将由存储业务部门负责。有业内人士透露，已经有客户选择台积电基础裸片+三星DRAM的设计方案。
分析指出，三星这种做法意味着不再单纯强调提供一体化的解决方案，而是提高供应链的灵活性，适配全球客户需求。
传闻SK海力士也考虑从HBM4E起，将部分基础裸片交由英特尔代工负责，以减少对台积电的依赖，建立多供应商体系，兼顾成本与供应链稳定性。看来除了SK海力士，三星也有类似的考虑。
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啊？之前我们一直说，三星相比于SK海力士、美光，最大的优势就是有自己的先进半导体生产能力，在NVIDIA也开始自研3nm基础裸片的背景下，这一优势就更明显了。结果在HBM内存大客制化时代，三星这一优势也不再能保留了，为了满足客户选择，它也要把一部分基础裸片交由台积电代工。对于有芯片制造能力的厂商来说，这样的选择面子上多少有些挂不住……
新 闻2️⃣ ：三星HBM4及HBM4E明年供应量或翻倍,良品率稳定后策略转向大规模出货
今年2月，三星宣布开始量产HBM4。其结合了4nm基础裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升。经过了数年的努力，三星终于摆脱了HBM3和HBM3E时期困扰已久的性能及良品率问题。另外三星也在HBM4E发力，且进展顺利，今年5月已经向客户交付样品。
据DigiTimes报道，随着良品率的问题逐渐得到解决，三星的HBM策略也开始发生转变，正在从“技术追赶”转向“扩大出货”。三星计划2027年将HBM4及HBM4E的出货量提高一倍甚至更多。为了配合扩产，三星打算提高明年关键材料玻璃载板的采购量，提高至今年的2.5倍，每月数量从2万片飙升至5万片。
玻璃载板作为临时支撑结构，附着于HBM DRAM晶圆底部，防止晶圆在研磨减薄和钻孔过程中发生弯曲或破裂。随着DRAM堆叠层数的增加，晶圆减薄与翘曲控制工艺的重要性日益凸显。值得注意的是，玻璃载板可以重复使用，而且不同的工艺及良品率也会影响实际消耗，所以最终的产能输出还要看三星具体使用情况而定。
据了解，这次三星扩大HBM4及HBM4E生产主要集中在12层及以上堆叠的产品上。业界预计以三星的投入量，HBM生产规模将从今年的18万片增至明年的25万片，提升约40%。其中HBM4在整个HBM里的比重将从今年的40%提高至80%，而HBM4E产能也将逐渐爬坡。
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不过，三星选择台积电部分代工，也不一定是承认了自家工艺不行、不被部分客户认可，也可能只是为了尽快完成产能爬坡和良率提升。另外，三星和SK海力士、美光不同，它始终保有独立生产的能力，现在向台积电下单，客观上也能挤占台积电对另外两家的产能供应，算是一举多得。
新 闻3️⃣： 英特尔或与SK海力士达成合作,在美国启动DRAM芯片生产
英特尔在2022年1月宣布投资超过200亿美元，在美国俄亥俄州兴建两座新的晶圆厂，原计划在2025年投产，不过不断出现延期，可能要等到2030年至2031年。随后还传出英特尔正在寻求潜在的投资或制造合作伙伴关系，其中包括了SK海力士。虽然SK海力士否认收购俄亥俄州的晶圆厂生产存储芯片，但是表示一直在持续评估各种投资和并购机会。传闻双方存在合作机会，或探索类似于SK海力士与台积电在HBM及先进封装领域的合作。
据TECHPOWERUP报道，有消息人士透露，英特尔和SK海力士正在洽谈在美国启动DRAM生产线。这意味着双方可能达成某种合作，通过合资企业利用DRAM技术，也有可能SK海力士租用英特尔在俄亥俄州晶圆厂的部分设施。
如果英特尔和SK海力士组建合资企业生产DRAM芯片，将有利于缓解目前供应链的巨大压力，同时这种合作方式能更好地使用DRAM技术。毫无疑问，考虑到未来几年DRAM市场的销售前景，英特尔和SK海力士都将获得相当大的收益。
如果SK海力士决定租用英特尔的生产设施，那么英特尔也能缓解过去几年建造晶圆厂所承受的资金压力。另外SK海力士生产的存储芯片可能不仅限于普通DRAM，更涉及HBM，甚至NAND闪存。需要注意的是，英特尔和SK海力士的最终决定还取决于多个因素，韩国主管部门曾指出，如果涉及“国家核心技术”，将根据颁布的法律法规进行审查。
上个月有报道称，首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）暗示英特尔将重返存储市场。
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SK海力士显然也意识到了这个问题，但除了台积电和三星外，还有谁有先进制程工艺呢？没错，Intel。目前，二者合作的消息基本确定，但根据SK海力士的说法，具体的合作方案还在探讨，至于涉及韩国国家核心技术这方面……韩国的国情大家还是多少知道一些的，它美爹真想要，它估计是没法反抗吧？
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