国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN122871641A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件。根据本公开的实施例，半导体器件包括：第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的介电层。介电层包括：第一铁电层；第二铁电层，其设置在第一铁电层与第二电极之间且具有与第一铁电层的畴不同的畴；和畴分离层，其设置在第一铁电层与第二铁电层之间，且包含第一掺杂剂和金属元素。第一掺杂剂包含价态与金属元素的价态不同的金属阳离子。

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作者：情报员