国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN122872103A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其形成方法，在所述的半导体器件的形成方法中，对衬底中的开口的侧壁进行修复处理，以在开口的侧壁形成修复层，修复层至少填满开口侧壁的凹陷，由此可以修复开口侧壁的凹陷区域，使开口的侧壁表面平整，并且通过对修复层进行热处理，以提高修复层的致密性和硬度，从而使修复层的表面平滑，进而改善开口侧壁的扇贝形貌。

天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目89次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息679条，此外企业还拥有行政许可211个。

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作者：情报员