国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅片端面研磨机用破除真空装置及其控制方法”的专利，公开号CN122851461A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明涉及一种硅片端面研磨机用破除真空装置及其控制方法，所属硅片加工设备技术领域，包括下机架、真空吸盘、研磨盘及真空吸附破除组件；真空吸附破除组件包括三通接头，三通接头分别通过设有真空管道、CDA管道与真空吸盘连通。控制方法包括：硅片吸附固定时开启真空单向电磁阀；研磨完成后，通过PLC控制器互锁控制关闭真空单向电磁阀，延时后开启CDA单向电磁阀，通入压缩空气正压破除真空。通过PLC互锁控制与CDA正压吹气破真空相结合，实现了吸附与破除的可靠切换，破真空速度快、平稳，有效避免了硅片因真空未及时破除造成的取片困难或碎裂风险；同时结合压力监测实现闭环确认与故障报警，显著提升了硅片研磨加工的自动化程度与良品率。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本523559.0107万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息487条，此外企业还拥有行政许可24个。

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本文源自：市场资讯

作者：情报员