国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“改善单晶硅径向Swirl缺陷分布的拉晶方法及单晶硅棒”的专利，公开号CN122856344A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供的一种改善单晶硅径向Swirl缺陷分布的拉晶方法及单晶硅棒，属于单晶硅拉晶技术领域。本发明通过在拉晶炉上设置控制单元实现所述液口距GAP值的精准调控；该方法在拉晶不同等径长度阶段，使所述液口距GAP值随等径长度的增大而线性变化，通过调控所述液口距GAP值抑制Swirl缺陷生成；在引晶和转肩过程中所述液口距GAP值保持不变；全程采用闭环控制，使所述液口距GAP值波动小于±0.5mm，进而补偿温度梯度的波动，进一步抑制缺陷生成。本发明适用于4寸、5寸、6寸及8寸多尺寸的晶棒拉制，具有较好的通用性，能够满足不同炉型和不同规格晶棒的生产需求。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息422条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员