国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于制造包括量子点区域和MOS晶体管的片上系统的方法”的专利，公开号CN122871718A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本公开涉及用于制造包括量子点区域和MOS晶体管的片上系统的方法。栅极结构在适于定位量子点区域的第一电路部分和用于晶体管的第二电路部分中的半导体层之上制造。第一停止层形成在第一电路部分中，但不形成在第二电路部分中。第二停止层形成在第一电路部分和在第二电路部分中。形成金属触件，金属触件在第一电路部分中竖直穿过第二停止层并且在位于第一停止层中的或位于第一停止层上的端部处停止，并且在第二电路部分中竖直穿过第二停止层并在位于栅极结构中的或栅极结构上的端部处停止。

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作者：情报员