国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法以及存储系统”的专利，公开号CN122871625A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体器件及其制造方法以及存储系统。半导体器件包括半导体层、第一介电层和第二介电层，半导体层具有沿第一方向相对的第一表面和第二表面，半导体层沿第二方向划分为第一区域和第二区域，其中，第一方向与第二方向垂直；第一介电层的至少部分位于半导体层的第二区域的第二表面；第二介电层设置于第二区域，第二介电层位于第一介电层的远离半导体层的一侧。由于第二介电层位于第二区域，且位于第一介电层的远离半导体层的一侧，在进行化学机械抛光等操作时，第二介电层能够对半导体层起到保护作用，有效降低半导体层在第二区域的暴露风险，提高半导体器件的性能。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1497次，财产线索方面有商标信息1034条，专利信息6299条，此外企业还拥有行政许可1243个。

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作者：情报员