直接回答：在 28nm 及以上成熟制程和主流存储芯片全面实现自主量产后，国产芯片依然卡在 14nm 以下先进制程赛道上。

2026 年 9 月工信部和发改委联合印发的“十五五”规划，把攻关重点集中在 EUV 光刻机、ArF 浸没式光刻胶、高端电子束量测设备和 7nm 以下全自主晶圆制造工艺等最硬的骨头上。

以下按四个大类逐层拆开。

设备，卡在光刻与量测两座山头

EUV 光刻机是整个清单里最大的一块空白。当前全球仅 ASML 一家能量产，单台售价约 3.8 亿美元，一台包含超过 10 万个零部件，来自 5000 家供应商。国内目前在 EUV 整机集成、13.5nm 光源、超精密光学镜片、高精度双工件台等核心子系统上，均无商用产品落地。

受出口管制影响，ASML 获准对华出口的最先进机型与顶级 EUV 相差八个技术世代。国产光刻设备在晶圆厂装机口径的占比不足 1%。

紧挨着光刻的是电子束量测设备。CD-SEM（关键尺寸扫描电子显微镜）被称为晶圆厂的“纳米标尺”，14nm 以下先进制程的工艺闭环控制离不开它。

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科研人员在实验室对芯片开展量测作业

目前全球市场仍被应用材料、日立高新等海外企业垄断，国产设备正处于产线验证向批量交付的过渡阶段，还没有进入大规模放量供货。

计算光刻软件也是一块隐形短板。它是 90nm 以下制程制造的必备 EDA 软件，能将芯片设计图形“翻译”成光刻机可执行的曝光方案。这一品类是国产化率最低的 EDA 软件品类之一，市场几乎被西门子 EDA、新思科技和睿初科技三家瓜分。

在这些核心设备之外，静电卡盘和射频电源等高端零部件的国产化率更令人警惕：整体仅 7.1%，其中精密件普遍不足 5%。国产射频电源目前只能覆盖成熟制程，5nm 以下先进制程需要的高端型号仍然握在美系厂商手里。

你可能想问：刻蚀机、清洗机不是已经国产化了吗？没错。刻蚀设备装机口径国产化率约 60%，清洗设备约 47%，CMP 设备约 39%——但这些都是成熟制程的战绩。一拉到 14nm 以下，刻蚀设备的国产化率直接降到不足 15%，量测检测设备和涂胶显影设备更加难看。

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材料，光刻胶是最值钱的那个短板

半导体材料看似品类庞杂，但真正卡住脖子的集中在几款高端产品上。

ArF 浸没式光刻胶，覆盖 28nm 到 14nm 先进制程，是逻辑芯片和高端存储的刚需。当前国产化率不足 5%，但这款产品的市场销售额却占了国内光刻胶整体市场的近 50%，是价值量最高的细分赛道。目前仅实现小批量验证供货，主流订单仍被日系厂商垄断。

先进封装用 PSPI 感光聚酰亚胺和临时键合胶，是 HBM 高带宽存储和 2.5D/3D Chiplet 封装的关键材料。PSPI 的高端型号长期依赖日本旭化成、东丽供应；临时键合胶国内自给率不足 10%，几乎全靠进口。

EUV 光刻胶还停留在预研阶段，国内没有任何商业化产品，全球只有三家日企能量产。

高端 IC 光掩模基板，国内首条产线于 2026 年 8 月在浏阳通过竣工验收、进入试生产阶段，预计 2026 年 12 月实现正式投产，规模化替代尚未开始。

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国内半导体材料生产园区外景航拍

EDA 与 IP，设计环节的“图纸”还没画全

芯片制造前，得先把电路“画”出来。这个“画笔”就是 EDA 工具。

面向 14nm 以上成熟节点的 EDA，华大九天、概伦电子等厂商已经能撑住。但面向 7nm 及以下先进节点的全流程商用 EDA 工具链，目前还没有实现完整的国产闭环。

国际头部厂商对新思、楷登电子等最新版本工具的出口许可仍然卡得很严，高端节点工具的口子没有完全打开。

和 EDA 配套的是核心自主 IP 核。面向 7nm 以下先进工艺的高性能硬核 IP 覆盖率仍然不够，部分高复杂度 IP 还得从海外采购授权，相当于“画笔”有了，但部分“颜料”还得靠进口。

工艺与产品，7nm 良率还差着一大截

把设备和材料凑齐之后，晶圆厂能不能稳定产出合格芯片，最终看良率。

2026 年国内 7nm 以下先进制程晶圆良率约 23%，而台积电在同类节点上的量产良率已超过 90%。良率差这么大，意味着即使工艺路径能走通，成本也无法支撑大规模商业化量产。

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DUV 多重曝光可以逼近 7nm 甚至更低的图形精度，但代价是工序翻倍、产能下降、良率更容易波动。

高盛预计国产先进制程良率将在 2030 年提升至 50%，2035 年达到 75%。但即便到了那一步，与台积电的差距依然存在。

先进制程 DRAM 同样绕不开 EUV。长鑫科技虽然已是全球第四大 DRAM 厂商，但最尖端的 DRAM 产品仍需用到 EUV 制程，目前国内在这条路上仍需依赖海外设备和技术支持。

在AI 训练芯片上，国产产品与英伟达 H100 及以上级别旗舰 GPU 相比，在单卡峰值性能和全栈软件生态适配度上仍有明显差距，完全替代尚需时间。

攻关清单的新部署

2026 版规划在成熟制程之外，重点部署了 3D 堆叠／晶圆级先进封装、第四代超宽禁带半导体（氧化镓、金刚石）、计算光刻软件与高端量测设备、光子产业链、20 层以上 HBM 堆叠技术等攻关方向。

整体攻关的性质也变了：不再是从零到一地“补有无”，而是从能用向好用、从成熟制程全链条闭环向先进制程全链条闭环推进。家底厚在成熟制程和市场需求，真正的硬仗集中在光刻、量测、材料和良率这四个维度。