国家知识产权局信息显示，汇能微电子技术（深圳）有限公司、汇能芯微半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种集成并行埋置肖特基结构的硅沟槽栅MOSFET及其制造方法”的专利，公开号CN122871679A，申请日期为2026年8月。专利摘要显示，本发明公开一种集成并行埋置肖特基结构的沟槽栅MOSFET及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明将并行肖特基SBD单元埋置于Pwell阱外侧底部区域。

天眼查资料显示，汇能微电子技术（深圳）有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本611.9044万人民币。通过天眼查大数据分析，汇能微电子技术（深圳）有限公司共对外投资了2家企业，专利信息9条，此外企业还拥有行政许可8个。

汇能芯微半导体（无锡）有限公司，成立于2025年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析，汇能芯微半导体（无锡）有限公司专利信息1条。

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作者：情报员