国家知识产权局信息显示，旺宏电子股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN122871677A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构。半导体结构可例如包含于存储器装置中。存储器装置例如为三维NAND型闪存且提供高性能及高容量的储存介质。半导体结构包括基底、栅极层以及虚设栅极层。基底包括有源区以及设置在有源区中的源极区、漏极区以及至少一轻掺杂区。栅极层设置在有源区上方，其中源极区和漏极区配置在栅极层于第一方向上的相对两侧处且轻掺杂区配置在栅极层与漏极区之间。虚设栅极层设置在轻掺杂区上方且与栅极层电性连接。

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作者：情报员