国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“降低硅片气孔发生率的方法和拉晶方法”的专利，公开号CN122856340A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明提供了一种降低硅片气孔发生率的方法和拉晶方法，涉及单晶硅技术领域，该方法包括：在拉晶的安定工序中，通过设定坩埚转速和旋转方向的周期性变化，使震荡强度能够克服埚转在不断爬升或降低的过程中对变化的适应性，将正转周期内未被震荡掉落的气泡在反转周期内被震荡掉落，以降低硅片气孔的发生率。本方案能够将硅片气孔发生率降低至1%的发生数量级以下，进而降低硅片的报废率。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息422条，此外企业还拥有行政许可27个。

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作者：情报员