国家知识产权局信息显示，粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种浅沟槽隔离结构、生成方法及半导体器件”的专利，公开号CN122872100A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种浅沟槽隔离结构、生成方法及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在硅衬底进行有源区域蚀刻以形成初始浅沟槽隔离，并对初始浅沟槽隔离进行氮化硅回缩处理，以及对氮化硅回缩处理后的初始浅沟槽隔离进行双衬垫氧化处理得到目标浅沟槽隔离，并且初始浅沟槽隔离具有多斜率的沟槽侧壁，沟槽侧壁在初始浅沟槽隔离底部的斜率，大于沟槽侧壁在初始浅沟槽隔离顶部的斜率，提高目标浅沟槽隔离转角处的氧化层厚度，有效提高浅沟槽隔离转角处的氧化层击穿电压，提升产出产品的可靠性。

天眼查资料显示，粤芯半导体技术股份有限公司，成立于2017年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本236559.1397万人民币。通过天眼查大数据分析，粤芯半导体技术股份有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目157次，财产线索方面有商标信息46条，专利信息1080条，此外企业还拥有行政许可129个。

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作者：情报员