国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“等离子体增强气相沉积方法及用于形成低k材料膜的系统”的专利，公开号CN122856141A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，公开了用于在衬底的表面上形成低k材料层的等离子体增强气相沉积方法。示例性方法包括在反应室中提供衬底，向反应室提供氢源，向反应室提供等离子体，以及向反应室提供Si前体。Si前体包含键合到氧原子和可选取代的乙烯基的至少一个硅原子。还公开了用于执行等离子体增强气相沉积方法的系统。

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作者：情报员