国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“有源区中段金属层的制造方法”的专利，公开号CN122871664A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本发明公开了一种有源区中段金属层的制造方法，包括：形成硬质掩膜层。进行第一光刻工艺以定义出具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸的有源区中段金属层的形成区域。对硬质掩膜层进行第一刻蚀以形成第一开口，第一开口保持第一关键尺寸。继续对第一开口底部的层间膜进行第二刻蚀以第一开口加深并穿过层间膜。采用ALD工艺形成第一介质层，调节第一介质层的厚度使第一开口的宽度缩小到目标关键尺寸，用以增加改善器件的TDDB可靠性；第一介质层的介电常数小于后续的第二氮化硅层的介电常数，用以降低寄生电容并从而改善器件AC性能。采用ALD工艺形成第二氮化硅层。进行内衬去除工艺。本发明能同时提升工艺窗口、器件可靠性和器件性能。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2114次，专利信息2950条，此外企业还拥有行政许可552个。

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作者：情报员