国家知识产权局信息显示，北京智创芯源科技有限公司申请一项名为“一种硅基碲镉汞原位台面选择性外延材料及其制备方法”的专利，公开号CN122871786A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅基碲镉汞原位台面选择性外延材料及其制备方法，包括衬底、ZnTe成核缓冲层、第一CdTe缓冲层、HgCdTe层、阵列化分布的n型HgCdTe层与p型HgCdTe层台面；非台面区域覆盖硅掩膜层。本申请提供的硅基碲镉汞原位台面选择性外延材料，避免台面刻蚀带来的侧壁损伤，同时实现退火过程中位错的高效湮灭；通过工艺协同设计，在同一退火中同步实现HgTe/CdTe互扩散导电层形成与台面位错吸除，将材料优化与器件制备深度融合；实现像元图形、pn结、底导电层的一体化外延制备，降低工艺复杂度，提升硅基HgCdTe焦平面器件的良率与性能一致性。

天眼查资料显示，北京智创芯源科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本10945.6522万人民币。通过天眼查大数据分析，北京智创芯源科技有限公司参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可3个。

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作者：情报员