3nm FinFET · DUV版本全栈国产工艺Flow丨知识库已上线|cmp|nm|材料|知识库|硅片

、文章导读：

【导语】

先进制程最怕“看得懂名词，查不到流程”。尤其3nm这条线，DUV-only怎么做SAQP、后栅怎么换金属、接触孔怎么在12nm尺寸下无空洞填充、BEOL怎么用低k和双大马士革控RC——资料散在论文、专利、设备手册、晶圆厂培训PPT里，新人入门至少啃几个月。

我们把这套《3nm FinFET · DUV版本全栈国产工艺Flow（300mm·硅片→封装）》，不堆概念，而是按“硅片来料→前道图形→STI→沟道→虚拟栅/源漏→后栅HKMG→中段接触→后段互连→封装测试”逐工序展开，每步附带工艺条件、设备选型、国产供应商、量测方法、常见异常和处置QA。

一套库，适合工艺工程师、设备/材料国产化同事、投资研究、高校微电子教学学习参考

3D视图，逐层展示

一、这套知识库到底有什么 1. 全工序流水线，不是词条堆砌

知识库按制造逻辑分八大模块、数十个关键工序：

A 前道准备
300mm P型(100)硅片来料验收、起始清洗、垫氧+氮化硅垫层。把COP、SFQR、金属污染、BMD吸杂这些“起点问题”先卡死。
B 图形化（最核心）
三层硬掩模→193i单次曝光96nm芯轴→SADP 96→48nm→SAQP 48→24nm鳍节距。把“为什么DUV不用EUV也能做3nm级鳍”讲透：一次光刻+两次自对准侧墙，零套刻累积。
C STI隔离
衬里氧化、HARP/FCVD高深宽比填充、致密化退火、CMP停氮化硅、氮化硅剥离+氧化物回刻露鳍。重点给空洞、dishing、鳍高一致性。
D 沟道/阱工程
N/P阱分区注入、Vt调整与halo、尖峰/毫秒退火、鳍表面处理。把RDD随机掺杂涨落、超浅结、热预算三者矛盾单独拆出来。
E 虚拟栅+源漏
非晶硅dummy gate、CPP45/Lg16的SADP+cut mask、offset低k侧墙、PMOS SiGe:B与NMOS SiC:P选择性外延、主侧墙、重掺杂+毫秒/激光退火、Ti/TiN+NiPt自对准硅化物。
F 后栅RMG
虚栅去除、0.7nm IL+1.8nm HfO₂（EOT≈0.9nm）、双功函数（PMOS TiN/TaN、NMOS TiAlC）、TiN阻挡+W/Co填充、金属栅CMP+回刻+SiCN帽层。
G 中段MEOL
CT/M0接触光刻（193i+LELE）、高深宽比接触刻蚀、Ti/TiN+Co/W填充、接触CMP。把“二维随机接触最吃掩模、最怕随机缺陷”讲清楚。
H 后段BEOL
V0/M1 24nm SAQP双大马士革、TaN+Co/Ru衬里+Cu籽晶、ECP超填充+退火、低k SiCOH；总览层持续补充先进封装与测试路线。

每条工序点进去不是一段概述，而是拆成：目标→工艺条件→操作流程→设备→材料→国产供应商→量测→关键风险→工程师QA。

2. 国产设备材料对照表，直接可筛

这是本库最实用的一块。按工序反查“谁能做”：

光刻/涂胶显影：上海微电子SSA800 ArFi、芯源微KS-FT300 Track、东方晶源OPC/量测；南大光电/北京科华/徐州博康ArF胶。
刻蚀：中微Primo系列CCP/ICP、北方华创NMC系列，覆盖芯轴、侧墙、鳍、接触、低k介质。
薄膜/ALD/PECVD：拓荆PF/Astra、微导纳米iTron，覆盖硬掩模、侧墙、HfO₂、低k、功函数金属；北方华创炉管/LPCVD。
CMP/抛光：华海清科Universal-300系列，安集抛光液、鼎龙抛光垫。
清洗/电镀：盛美SAPS/TEBO清洗、Ultra ECP电镀；至纯湿法高纯系统。
量测检测：中科飞测缺陷/套刻、上海精测膜厚/OCD、东方晶源CD-SEM/EBI。
硅片/材料：沪硅300mm、立昂微/中环/有研硅/超硅、新傲SOI；华特/金宏/雅克/江化微/晶瑞电子化学品；江丰/有研新材靶材、安集/鼎龙CMP、南大光电前驱体。