国家知识产权局信息显示，芯朴科技（上海）有限公司取得一项名为“一种高阻硅单芯片射频开关及射频前端模组”的专利，授权公告号CN224843731U，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本实用新型属于电子器件领域，揭示了一种高阻硅单芯片射频开关及射频前端模组。所述高阻硅单芯片射频开关包括高阻硅单芯片和射频基板，所述高阻硅单芯片固定在所述射频基板上；所述高阻硅单芯片上设有控制模块和射频开关模块，所述控制模块与所述射频开关模块之间设有隔离结构，所述隔离结构用于提高所述控制模块与所述射频开关模块之间的隔离度，从而有效衰减控制模块产生的噪声信号，防止噪声信号通过衬底耦合到射频开关模块，从而在保证射频性能的同时，降低了芯片制造成本。

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作者：情报员