国家知识产权局信息显示，快激光系统半导体制造欧洲股份公司申请一项名为“用于为靶材料提供激发能量以产生EUV辐射的设备、用于产生EUV辐射的设施和用于运行用于为靶材料提供激发能量以产生EUV辐射的设备的方法”的专利，公开号CN122893359A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，用于产生EUV辐射的设备（10），具有：激光束源（12），用于产生脉冲式激光束（16）；和束转向装置（24），其设置为用于使所述脉冲式激光束（16）转向，尤其是为了产生所述EUV辐射的目的而转向到靶材料（26）上。所述束转向装置（24）具有至少一个带有镜元件（32）的镜单元（28）。所述镜元件（32）可光学地借助于光束（34）在反射状态和透射状态之间进行切换。所述镜元件（32）在所述反射状态中构造为用于反射所述脉冲式激光束（16），并且在所述透射状态中构造为用于透射所述脉冲式激光束（16）。

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作者：情报员