国家知识产权局信息显示，深圳市新凯来工业机器有限公司申请一项名为“等离子体刻蚀方法、等离子体刻蚀设备、控制方法及计算机可读存储介质”的专利，公开号CN122889659A，申请日期为2026年5月。

专利摘要显示，本申请公开了一种等离子体刻蚀方法、等离子体刻蚀设备、控制方法及计算机可读存储介质，涉及半导体领域，用于解决在不中断等离子体刻蚀工艺序列的情况下，降低晶圆表面受到颗粒污染的问题。该等离子体刻蚀方法，包括刻蚀阶段、过渡阶段和解吸附阶段；刻蚀阶段包括：在第一环境参数下，对放置于刻蚀腔室中的晶圆进行刻蚀；所述第一环境参数包括第一功率和第一腔室压力；过渡阶段包括：将所述刻蚀腔室的腔室压力从所述第一腔室压力呈阶梯式上升至所述第二腔室压力；解吸附阶段包括：在第二环境参数下，对所述晶圆进行解吸附处理；所述第二环境参数包括第二功率和第二腔室压力，所述第二功率小于所述第一功率。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员