国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“耗尽型氮化镓功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN122892213A，申请日期为2026年8月。

专利摘要显示，本申请提供了一种耗尽型氮化镓功率器件，包括外延结构和形成在所述外延结构上的栅介质层，所述栅介质层包括氮氧化硅层和形成在所述氮氧化硅层上的第一氮化硅层，其中，所述第一氮化硅层由LPCVD方式制得。通过设置氮氧化硅层作为栅介质叠层的中间层，利用氮氧化硅中氧元素的存在和可调的N/O比，能够有效降低对应界面处的界面态密度。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

本文源自：市场资讯

作者：情报员