国家知识产权局信息显示，苏州珂晶达电子有限公司申请一项名为“抗闩锁半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利，公开号CN122892250A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本申请提供的一种抗闩锁半导体结构的制备方法及半导体结构。该抗闩锁半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，第一表面用于制备半导体元件；自第二表面侧对半导体衬底进行整体减薄至第一预设厚度，以去除半导体衬底中可在单粒子入射作用下产生电荷扩散并触发闩锁效应的深层半导体衬底区域；在减薄后的第二表面上进行部分刻蚀，以形成凹槽结构；凹槽结构的槽顶位于第二表面；凹槽结构的槽底与第一表面之间的距离为第二预设厚度；在凹槽结构填充低应力材料。本发明提供的半导体结构显著降低了闩锁效应的触发概率，同时保持了晶圆的机械完整性和后续工艺兼容性。

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作者：情报员