国家知识产权局信息显示，中电科第三代半导体科技有限公司申请一项名为“一种清洗液、化学机械抛光后晶圆的清洗方法及应用”的专利，公开号CN122879026A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种清洗液、化学机械抛光后晶圆的清洗方法及应用。所述的清洗液，按重量百分数计，包括如下组分：络合剂0.01%~5%、表面活性剂0.001%~1%、缓蚀剂0.0001%~0.5%和余量溶剂，pH为3~7。该清洗液，通过将特定配比的络合剂、表面活性剂与缓蚀剂置于pH 3‑7的弱酸性至近中性环境中，协同作用，实现了在单一清洗步骤中高效同步去除CMP后晶圆表面的磨料颗粒、金属杂质和有机物残留。

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作者：情报员