国家知识产权局信息显示，杭州东沃电子科技有限公司申请一项名为“一种多沟槽结构环栅MOS晶体管集成制备系统及方法”的专利，公开号CN122892224A，申请日期为2026年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种多沟槽结构环栅MOS晶体管集成制备系统及方法，包括SiC衬底，所述SiC衬底的上表面生长有4H‑SiC外延层；所述4H‑SiC外延层的内部阵列排布有多个梯形沟槽单元。本申请中，通过多沟槽阵列搭配由侧壁第一栅极层与底部第二栅极层电性连接构成的全包围环栅MOS结构，配合沟槽底部厚度大于侧壁的第二栅介质层以及侧壁渐变分层沟道，一方面实现栅极对沟道的全向调控，有效阻断源漏间的表面漏电通道、降低关态漏电流、显著提升栅控能力，另一方面针对性缓解SiC沟槽底部的电场集中效应，提升器件击穿电压与长期耐压可靠性，同时渐变掺杂的沟道结构优化了载流子输运特性，降低了沟道导通电阻，实现器件耐压、栅控与导通性能的同步提升。

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作者：情报员