国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“一种半导体存储器件”的专利，公开号CN122892184A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本发明实施例公开了一种半导体存储器件，半导体存储器件包括衬底，衬底内包括多个有源区及相邻两个有源区之间的浅沟槽隔离；闸极结构，位于衬底内沿第二方向延伸；位线触点，位于闸极结构之间、与有源区直接接触；电介质层，位于闸极结构与所述衬底之上；衬垫层，介于位线触点与电介质层之间；位线，沿着垂直于第二方向的第三方向延伸,同时覆盖衬垫层的顶面以及相对的两侧壁。如此，本发明实施例可以提供组件可靠度佳的半导体存储器件。

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作者：情报员