国家知识产权局信息显示，上海飞骧电子科技有限公司申请一项名为“绝缘体上硅器件”的专利，公开号CN122892254A，申请日期为2026年9月。

专利摘要显示，本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种绝缘体上硅器件，绝缘体上硅器件包括硅衬底、形成于硅衬底的表面呈矩形的有源区、分别叠设于有源区且沿第一方向排布的第一掺杂区和第二掺杂区、同时叠设于第一掺杂区和第二掺杂区的栅极多晶硅区、设置在有源区的第一接触孔组、设置在栅极多晶硅区的第二接触孔组、以及叠设于第一接触孔组和第二接触孔组的金属连接层；栅极多晶硅区包括叠设于第一掺杂区的第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构、叠设于第二掺杂区的第四栅极结构、以及分别连接于第一栅极结构和第二栅极结构靠近第四栅极结构的同一侧的第一连接部。本发明能降低绝缘体上硅器件的寄生参数，提升放大器射频性能，提高面积利用率。

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作者：情报员